可視域で低損失なシリコンナイトライド薄膜の作製

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タイトル別名
  • Fabrication of low loss Si-N thin films in visible wavelength region

説明

ボード間やチップ間の伝送速度は、メタル配線から光配線に変えることで飛躍的に向上する。その光配線方法の1つとして導波路の使用が注目されている。導波路母材に屈折率の高いものを使用すると、光の閉じ込めが強く導波路の曲げ半径の微小化が可能になる。また、電気信号を光信号に変える受発光素子には価格の安さから、使われる波長帯が600 _から_850 nmになる可能性が高い。そこで我々は、高屈折率で、かつ可視域の光を伝搬できるシリコンナイトライド（SiN）の極微導波路の作製プロセスを研究している。SiN薄膜の成膜にはシラン(SiH4)を用いたCVD法が知られているが、原料の取り扱いが難しい。本研究では、安全性が高い有機液体であるトリスジメチルアミノシラン（TDMAS）を原料にしたプラズマCVD法によって、成膜条件の最適化による伝搬損失の低いSiN薄膜の作製とその導波路化について検討した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205615699840
  • NII論文ID
    130006972674
  • DOI
    10.14853/pcersj.2006f.0.206.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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