近接気化型CVD法による酸化スカンジウム膜の合成
書誌事項
- タイトル別名
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- Preparation of Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films by a nearby vaporization CVD method
説明
Sc2O3膜の作製は，大気開放下で近接気化型CVD装置を用いて行った。基板としてSi(100)単結晶，溶融石英ガラスを使用し，Sc(thd)3を気化原料に用い，基板温度(Ts )と初期原料表面-基板表面間距離(D)を製膜パラメータとし，Sc2O3膜を合成した。得られた膜の評価は，XRD法による結晶配向，結晶子径の評価，PL測定，CL測定，屈折率測定等により行った。 Sc2O3膜の優先配向の方向は，基板温度および初期原料表面-基板表面間距離に依存していた。また，基板温度600℃以下でSi(100)基板上に合成した膜の室温でのCLは，250nmから750nmの波長範囲では観測されなかった。これはSc(thd)3の反応性が低いため，この基板温度領域でのSc2O3膜の結晶性が低いことと膜厚が薄いためであると考えられる。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2007S (0), 550-550, 2007
公益社団法人 日本セラミックス協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205615857024
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- NII論文ID
- 130006972927
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可