LnCuOCh層状オキシカルコゲナイド中の自然多重量子井戸構造

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タイトル別名
  • Natural MQW structure in LnCuOCh layered oxychalcogenides

抄録

LnCuOCh（Ln=希土類元素、Ch=カルコゲン元素）は、酸化物層とカルコゲナイド層が積層する構造をもつワイドギャップ半導体である。これらの材料の電子構造を調べると、その層状構造が酸化物層を障壁、カルコゲナイド層を井戸とした多重量子井戸構造とみなせる可能性が示唆される。エピタキシャル薄膜を用いた吸収スペクトルの測定により、２次元性を示すスペクル構造を一連のLnCuOChにおいて観察した。これにより、LnCuOCh中には、多重量子井戸構造が形成されていることが実証された。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205616602112
  • NII論文ID
    130006974141
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.59.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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