ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造計算
書誌事項
- タイトル別名
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- Energy band calculation of wide-gap LaCuOSe semiconductor
抄録
ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造をLDA+U近似のもとでFLAPW法によって計算する。La4f軌道のエネルギー位置を正確に評価するために、LDA近似ではなくLDA+U近似で計算を行い、得られた結果を光電子分光スペクトルと比較する。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2004S (0), 58-58, 2004
公益社団法人 日本セラミックス協会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205616607232
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- NII論文ID
- 130006974149
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可