ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造計算

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タイトル別名
  • Energy band calculation of wide-gap LaCuOSe semiconductor

抄録

ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造をLDA+U近似のもとでFLAPW法によって計算する。La4f軌道のエネルギー位置を正確に評価するために、LDA近似ではなくLDA+U近似で計算を行い、得られた結果を光電子分光スペクトルと比較する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205616607232
  • NII論文ID
    130006974149
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.58.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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