抵抗スイッチングを示す金属-酸化物界面の伝導機構と素子サイズ依存

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タイトル別名
  • The devise size dependence of resistance switching performance in metal / manganite insulator interface

抄録

金属-絶縁体-金属構造に電圧を印加して発生する抵抗スイッチング現象は、次世代不揮発性メモリーへの応用が期待されている。我々はこれまでに、Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)薄膜上にさまざまな金属電極を作製し、Al/PCMO界面付近で抵抗スイッチングが発現していることを明らかにした。この抵抗スイッチング現象のメカニズムの解明を最終目的として、Al/PCMO界面における電流-電圧特性の詳細な解析を行った。空間電荷制限電流とプールフレンケル伝導が抵抗スイッチングに関与していることが明らかになり、界面付近の欠陥等における電荷のトラップ-デトラップにより抵抗スイッチングが発現していることが示唆された。当日は、伝導機構の素子サイズ依存等を紹介し、詳細を議論する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205617417856
  • NII論文ID
    130006975344
  • DOI
    10.14853/pcersj.2009f.0.2l19.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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