AlSiO薄膜を用いたSiC MIS構造の検討
書誌事項
- タイトル別名
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- Study of SiC MIS structure using AlSiO thin film
説明
ワイドバンドギャップ半導体であるSiCを用いたパワーFETを高性能化する為には、ゲート絶縁膜の容量を増大する必要がある。今回、高誘電率（High-k）膜としてAlSiOを用いてSiCに適用する際、中間層にBCNO膜を挿入した構造を提案した。AlSiO/BCNO/SiC MIS構造を作製すると共に、電気特性評価を行った。
収録刊行物
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- 表面科学講演大会講演要旨集
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表面科学講演大会講演要旨集 26 (0), 78-78, 2006
公益社団法人 日本表面科学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205645884032
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- NII論文ID
- 130004673626
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
