Studey on Defect Detection in Thin Film Layer of SOI Wafer by Using Infrared Evanescent Light (1st Report) - FDTD Analysis of Infrared Evanescent Field on SOI Layer -

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Other Title
  • 赤外エバネッセント光によるSOIウエハ薄膜層内欠陥検出に関する研究（第1報）
  • SOI層表面赤外エバネッセント場のFDTD解析

Abstract

本研究は，次世代の高機能半導体に用いられるSOIウエハにおける，薄膜層内の3次元微小欠陥検出手法として，エバネッセント光によるナノ欠陥計測法を提案するものである．本報では，SOI層をスラブ導波路として伝播する赤外光により発生するエバネッセント光を，プローブで走査検出し得られた光強度分布から，SOI/BOX両層内の欠陥の検出及び，その識別が可能な条件をFDTDシミュレーションによって明らかにする．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205647833344
  • NII Article ID
    130005026738
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2003a.0.447.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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