ショットキーバリアダイオードの特性評価によるGaN基板表面の評価

DOI
  • 白沢 佑樹
    大阪大学 大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 佐野 泰久
    大阪大学 大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 村田 順二
    大阪大学 大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 山内 和人
    大阪大学 大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Evaluation of GaN Substrate Surface Quality by Characteristics of Schottky Barrier Diode

説明

GaN基板表面にショットキーバリアダイオードを作製し，I-V特性およびC-V特性を測定した．異なる基板において差異が見られたため，電気特性測定によってGaN基板面の結晶性を定性的に評価出来ることが分かった．また，市販GaN自立基板の研磨面をエッチングし，同様の評価を行うことで，エッチング量と電気特性の関係から，研磨面の加工変質層深さの見積りを行うことが可能であると示唆された．

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205651529728
  • NII論文ID
    130004659009
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2009a.0.175.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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