Catalyst-Referred Etching of GaN

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  • 触媒基準エッチング法によるGaNの加工

Abstract

GaNは直接遷移型のワイドギャップ半導体であり、その優れた物性値から発光デバイスだけではなく、高周波・高出力電子デバイスへの応用も期待されている。しかし、GaNは熱的・化学的に安定であるため、その加工は困難である。我々はこれまでにSiCの平坦化加工として触媒基準化学エッチング法の提案を行っているが、本研究ではフェントン反応により生成したOHラジカルを用いGaNの平坦化加工への応用を行った。

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  • CRID
    1390001205652120320
  • NII Article ID
    130004658208
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2006a.0.533.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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