超音波援用研磨によるシリコンウェーハエッジのトリートメントに関する基礎研究

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タイトル別名
  • Fundamental study on the treatment of silicon wafer edge by ultrasonically assisted polishing

説明

近年半導体製造に用いられるシリコンウェーハの大口径化に伴い，ウェーハの割れや表面への異物付着と傷の発生を防ぐために精密研磨によるエッジ部のトリートメントがますます重要になっている．本研究では，従来の研磨ヘッドを超音波研磨ヘッドに置き換え，研磨パッドに微小な楕円振動を発生させて研磨する新しい研磨方法を提案した．本報では，設計・製作した超音波研磨装置とそれを用いた二，三の研磨実験について述べる．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205652211072
  • NII論文ID
    130004658145
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2006a.0.421.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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