無機レジストを用いた電子ビームリソグラフィにおけるＰＥＢの効果と近接効果の評価

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化学増幅作用をもたない無機レジストを用いた電子ビームリソグラフィの後に、ポストエクスポージャーベイク（ＰＥＢ）を行った。その結果、ＰＥＢを行わなかった場合に比べて近接効果特性に変化が生じ、より微細なパターンの形成が可能になった。そして、ＰＥＢ温度を最適化することで、近接効果の影響が高加速電圧より大きい４kVという低加速電圧電子ビームリソグラフィでも５０nm以下のL&Sパターンが得られた。

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  • CRID
    1390001205652756608
  • NII Article ID
    130005029316
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2008s.0.831.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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