ウエハ温度制御による高精度深孔エッチングの検討

DOI
  • 丹藤 匠
    日立製作所中央研究所 ナノプロセス研究部
  • 横川 賢悦
    日立製作所中央研究所 ナノプロセス研究部
  • 伊澤 勝
    日立製作所中央研究所 ナノプロセス研究部
  • 根岸 伸幸
    日立製作所中央研究所 ナノプロセス研究部

書誌事項

タイトル別名
  • Improvement of High Aspect Ratio Contact Etching Performance by using Real-Time Wafer Temperature Control

説明

半導体メモリ素子製造における微細深孔加工の性能向上には、ウエハ温度制御による孔内のラジカル輸送制御が重要となる。本報では、高効率冷却と高速温度制御が可能な気化冷却技術を検討した。気液二相流を考慮した熱解析により、ウエハ温度を高速かつ面内均一に制御可能な実験装置を試作した。前記装置にてエッチングの進展に伴いウエハ温度を制御することで、加工形状とマスク選択比を維持しながら加工速度を8%向上できた。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205654471296
  • NII論文ID
    130004659543
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2010s.0.1135.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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