マイクロ波プラズマジェットを用いた単結晶ダイヤモンド基板の数値制御平坦化

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  • Ar+O<sub>2</sub>プラズマジェットの加工特性

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近年，ワイドギャップ半導体デバイスへの応用を目的とした，ダイヤモンド基板の大型化・高品質化が期待されている．物質中最高の熱伝導性を活かせるパワーデバイスが実用可能となれば，車載用インバータを冷却フリー化でき，省エネに貢献できると考えられる．Ar+O2ガスを用いた大気圧のマイクロ波プラズマジェットによるドライエッチングにより，単結晶ダイヤモンド基板に対して36μｍ/h（φ1.4 mm）以上のエッチングレートを得た．

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  • CRID
    1390001205654909056
  • NII Article ID
    130005031676
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013s.0.211.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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