3Dスタックデバイスの製造工程におけるTSV内レジスト成膜に関する研究
書誌事項
- タイトル別名
-
- A Study on the Resist Coat Method inside the TSV on the 3D Stack Device
抄録
小型化、高性能化を実現する3次元スタック構造の半導体デバイスにおいて、貫通電極形成のニーズがある。本手法では、直径数十μm、深さ数百μmのTSV(Through Silicon via)にレジストを成膜する必要があるが、その技術は未だ確立されていない。本研究ではこの技術確立のためレジストを微小液滴化し、孔壁面に成膜を可能とする回転霧化式スプレーを利用した成膜方法を提案する。
収録刊行物
-
- 精密工学会学術講演会講演論文集
-
精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 153-154, 2011
公益社団法人 精密工学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001205655550208
-
- NII論文ID
- 130004660077
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可