High-efficiency planarization of GaN wafers using photo-electro chemical reaction with applying bias

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  • バイアス電圧印加を併用した光電気化学反応によるGaN基板の高能率平坦加工

Abstract

GaNは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によってGaN基板の高能率・高精度平坦化加工に取り組んでいる．本報では研磨時にバイアス電圧を印加することによって加工速度の向上に成功した結果について述べ，そのメカニズムについて考察する．

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  • CRID
    1390001205655567872
  • NII Article ID
    130004660092
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2011a.0.181.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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