多段階の化学的平坦化手法を用いたGaN単結晶基板の高能率・超平坦化加工
書誌事項
- タイトル別名
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- Multistep chemical planarization for efficient fabrication of smooth GaN surfaces
抄録
GaNは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によってGaN基板の高能率・高精度平坦化加工に取り組んでいる．本報では加工機構の異なる二種類の加工系を，前工程および仕上げ工程として用いることで，平坦化加工の高能率化に成功した結果について述べる．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 179-180, 2011
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205655572224
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- NII論文ID
- 130004660091
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可