グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発　第2報

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  • SiC基板の高効率・高精度ポリシングの検討

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グリーンデバイスとして注目されているワイドギャップ半導体(SiC，GaNなど)は難加工材料としても知られ，高精度な表面を得るために長時間の加工時間が必要とされている．とくに仕上げ研磨工程では数十時間以上を要し，大きな律速工程となっている．本研究では，仕上げ研磨工程の負担を軽減するために研磨ストレスの少ない非金属パッドでの中間加工プロセスを検討した．その結果，研磨時間の短縮と高精度な表面粗さを実現した．

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  • CRID
    1390001205655863424
  • NII Article ID
    130005031910
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013s.0.633.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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