Influence of crystal orientation and UV-ray irradiation on critical depth of cut of SiC

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  • SiCの臨界切込み深さに及ぼす結晶方位及びUV照射の影響

Abstract

ワイドギャップ半導体であるSiCが次世代パワー半導体材料として期待されている. しかし、SiCは優れた特性を有するがゆえに加工が困難である．そこで筆者らはSiCの新しい研削方法として，紫外光の光化学反応を重畳したUVアシスト研削を考案した．本研究では，UVアシスト研削における加工特性を知るため，単粒研削を模した単結晶SiCのスクラッチ試験を行い，臨界切込み深さに及ぼす結晶方位とUV照射の影響を明らかにした.

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  • CRID
    1390001205656143232
  • NII Article ID
    130005264094
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2016s.0_925
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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