CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係
書誌事項
- タイトル別名
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- Relationship between Polishing Apparatus Phenomena and Polishing Characteristics in Chemical Mechanical Polishing
- Si-CMPに及ぼすスラリー砥粒濃度の影響検討
- Effect of Slurry Particle Concentration in Si-CMP
抄録
本研究ではCMPにおける研磨装置の挙動による影響因子を評価し,そのパラメータが研磨特性に与える影響について明らかにすることを目的とする.本報ではシリコンウェーハを対象として,スラリー濃度が研磨レート,摩擦係数,温度に与える影響を検討するとともに,多変量解析を用いて相互相関を体系的に検討した結果を明らかにしたことを述べる.
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2014S (0), 295-296, 2014
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205658960640
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- NII論文ID
- 130005478865
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可