Relationship between Polishing Apparatus Phenomena and Polishing Characteristics in Chemical Mechanical Polishing

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  • CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係
  • Si-CMPに及ぼすスラリー砥粒濃度の影響検討
  • Effect of Slurry Particle Concentration in Si-CMP

Abstract

本研究ではCMPにおける研磨装置の挙動による影響因子を評価し，そのパラメータが研磨特性に与える影響について明らかにすることを目的とする．本報ではシリコンウェーハを対象として，スラリー濃度が研磨レート，摩擦係数，温度に与える影響を検討するとともに，多変量解析を用いて相互相関を体系的に検討した結果を明らかにしたことを述べる．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205658960640
  • NII Article ID
    130005478865
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2014s.0_295
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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