Development of Supplying Device of Enhanced Slurry having Nano-Bubbles with Active Gas and Trial of High Removal Rate Chemical Mechanical Polishing of SiC Substrate

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  • 活性ガス内包ナノバブル添加スラリー供給装置の開発とそれによるSiC基板の高能率CMPの試み

Abstract

次世代のパワーデバイス基板材料としてSiCは期待されているが，高硬度で且つ化学的に安定した材料であることから，CMPにおける極めて低い研磨能率が課題である．本研究ではプラズマにより活性化したガスを内包したナノバブルをスラリー中に添加する装置を開発するとともに，それによるSiC基板の高研磨能率を目指す．さらに，研磨条件が活性ガス及びナノバブルに与える効果を評価し，さらなる高能率CMP手法を試みる．

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Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205659602048
  • NII Article ID
    130006434243
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2017a.0_11
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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