表面吸着活性種の輸送を用いたドライ平坦化法の開発
書誌事項
- タイトル別名
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- The development of the dry planarization method with a reference plane by the transportation of active species
抄録
SiCやダイヤモンドなどはその優れた物性から次世代半導体基板材料として注目されているが,これらは高硬度かつ化学的に安定なため,原子レベルの表面平坦化は困難である.そこで我々はドライエッチングに転写面を付加した研磨法を考案した.本手法では,大気圧プラズマで生じた反応種を,触媒をめっきした回転定盤上に吸着し,試料表面に輸送することで平坦化を行う.本発表では,本手法の概念および基礎実験結果について報告する.
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2017S (0), 541-542, 2017
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205659701760
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- NII論文ID
- 130006043915
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可