有機金属気相成長法によるZnMgSeTe薄膜の成長とSe組成の制御
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of ZnMgSeTe layers by MOVPE and control of their Se composition
抄録
有機金属気相成長法を用いて，(001)面のGaドープZnTe基板上に四元混晶半導体ZnMgSeTe薄膜を作製した．薄膜と基板の界面を観測すると，直線的となっており比較的良好なZnMgSeTe薄膜が得られていることを確認できた．さらにZnMgSeTeのSe組成制御が可能かどうか検証するために，DESe供給量を変化させた．XRDの結果から，DESe供給量が増加するとZnMgSeTeの(004)回折ピークは高角度へシフトする．DESe供給量3μmol/min付近で成長させると， ZnMgSeTeのピークがZnTeのピークに向かって最も接近した．以上より，ZnMgSeTeは適切なDESe供給量を制御することで，ZnTeと格子整合が可能であることが実証された．
収録刊行物
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- 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
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電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2013 (0), 280-280, 2013
電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205664607744
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- NII論文ID
- 130005487334
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可