有機金属気相成長法を用いたInSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響

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タイトル別名
  • The effect of Si-doped interfacial layer on the electrical properties

抄録

InSbは、III-V族化合物半導体の中で最も高い電子移動度（室温で78000[cm2/Vs]）を有しており、赤外線センサ、ホール素子等へ応用されており、さらに、熱電変換素子への応用が期待できる。今回は、GaAs(100)面基板を使いInSb薄膜を結晶成長させた。その際、InSbと基板の界面に Siをドープした試料の電気的特性の温度依存性を評価した。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677442432
  • NII論文ID
    130005037901
  • DOI
    10.14886/sssj2008.30.0.123.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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