有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響

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タイトル別名
  • Inpact of buffer layer on the electrical properties of MOPVE-grown InSb thin films

抄録

InSb は、現在赤外検出器やホールセンサとして用いられており、また今後高電子移動度トランジスタや、我々が提案してきた熱電変換素子としても期待できる材料である。今回の実験では、バッファ層の依存性を排除するため、GaAs基板上にInSbを直接成長させた。このInSb膜厚を変化させた時のInSb薄膜の電気的特性と結晶性を報告する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677445888
  • NII論文ID
    130005037900
  • DOI
    10.14886/sssj2008.30.0.122.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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