有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Inpact of buffer layer on the electrical properties of MOPVE-grown InSb thin films
抄録
InSb は、現在赤外検出器やホールセンサとして用いられており、また今後高電子移動度トランジスタや、我々が提案してきた熱電変換素子としても期待できる材料である。今回の実験では、バッファ層の依存性を排除するため、GaAs基板上にInSbを直接成長させた。このInSb膜厚を変化させた時のInSb薄膜の電気的特性と結晶性を報告する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 122-122, 2010
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677445888
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- NII論文ID
- 130005037900
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可