Fabrication of Si(110)-16x2 surface by low temperature desorption of oxide layer
-
- Suzuki Shota
- Japan Atomic Energy Agency Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University
-
- Yano Masahiro
- Japan Atomic Energy Agency
-
- Uozumi Yuki
- Japan Atomic Energy Agency
-
- Asaoka Hidehito
- Japan Atomic Energy Agency
-
- Yamaguchi Kenji
- Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
Bibliographic Information
- Other Title
-
- 低温酸化層脱離によるSi(110)-16×2構造の作製
Abstract
Si(110)表面16×2再構成構造の形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の測定には、表面の全体で清浄、かつ表面ステップ構造に欠陥のない理想表面が必要である。本研究では、5×22 mmサイズSi(110)基板表面の湿式洗浄法により酸化層を作製し、低温加熱酸化層除去により表面全体で16×2再構成構造を作製した。発表では、加熱プロセスの変化が構造の変化に与える影響についても報告する。
Journal
-
- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
-
Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36 (0), 371-, 2016
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001205677486848
-
- NII Article ID
- 130005175769
-
- Text Lang
- ja
-
- Data Source
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- Abstract License Flag
- Disallowed