低温酸化層脱離によるSi(110)-16×2構造の作製
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication of Si(110)-16x2 surface by low temperature desorption of oxide layer
説明
Si(110)表面16×2再構成構造の形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の測定には、表面の全体で清浄、かつ表面ステップ構造に欠陥のない理想表面が必要である。本研究では、5×22 mmサイズSi(110)基板表面の湿式洗浄法により酸化層を作製し、低温加熱酸化層除去により表面全体で16×2再構成構造を作製した。発表では、加熱プロセスの変化が構造の変化に与える影響についても報告する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 371-, 2016
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677486848
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- NII論文ID
- 130005175769
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可