Transparent conductive TiO2 film fabrication by RF magnetron sputtering and its work function

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  • 酸化チタン透明導電膜のRFマグネトロンスパッタリングによる作製と仕事関数評価

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ITO代替材料の一つとしてニオブドープの酸化チタン薄膜が注目されている. RFマグネトロンスパッタ法により、Nb2O3を10ｗ％含有したTi2O3ターゲットから石英基板上に50-60nm程度室温で酸化チタン膜を形成し、真空を破らず450-600℃で一時間アニールすることによって、600℃において2.4ｘ10-4Ωcmの非常に低抵抗な導電性酸化チタン膜が得られた。またUPS測定により、5.07-5.47eV程度の仕事関数を持つことがわかった。この膜は光触媒活性がないため有機系光デバイスの基板材料としても十分使用に値することもわかった。

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  • CRID
    1390001205677611264
  • NII Article ID
    130004674295
  • DOI
    10.14886/sssj2008.29.0.87.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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