Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 and Ge(111)c(2x8) surfaces

DOI

Bibliographic Information

Other Title
  • Ge(100)2×1およびGe(111)c(2×8)表面の室温酸化物の放射光光電子分光研究

Abstract

GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている．酸素ガスおよび超音速酸素分子線によって超高真空中で作成したGe(100)2×1およびGe(111)c(2×8)清浄表面を室温酸化したものを比較した．発表では、放射光光電子分光によって明らかになった吸着量や酸化価数の違いおよび酸化反応メカニズムなどを報告する．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677659008
  • NII Article ID
    130005489138
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_158
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top