水素化アモルファスシリコンの高温での成長速度増加に関する考察
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- 豊島 安健
- 産総研
説明
モノシランガスの放電プラズマにより水素化アモルファスシリコン薄膜を成長させた場合、その成長速度は低温側では温度によらずほぼ一定であるが、４００℃あたりから温度とともに増加する。この増分の温度依存性を解析したところ、活性化エネルギーとして1.6eVと0.9eVの二つの場合があることが明らかになった。これらの起源を成長機構との関連において検討した結果について報告する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 34 (0), 24-, 2014
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677716992
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- NII論文ID
- 130005481112
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可