In/Si(111)√7×√3-hex表面の作製と電子状態
説明
Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる√7×√3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は√7×√3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 34 (0), 17-, 2014
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677798784
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- NII論文ID
- 130005481165
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
