Si(111)表面再構成過程のストレス変位

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タイトル別名
  • Stress evolution during Si(111) surface reconstruction

抄録

表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。Si(111) 7x7再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、再構成構造に起因するストレスを捉えた。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205679098880
  • NII論文ID
    130005489473
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_425
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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