Si(111)表面再構成過程のストレス変位
書誌事項
- タイトル別名
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- Stress evolution during Si(111) surface reconstruction
抄録
表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。Si(111) 7x7再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、再構成構造に起因するストレスを捉えた。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 425-, 2015
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205679098880
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- NII論文ID
- 130005489473
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可