PLD synthesis of anatase TiO2 epitaxial films and their thickness-dependent flat band potential by in situ UHV-electrochemistry approach

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  • アナターゼTiO2エピタキシャル薄膜のPLD合成とin situ測定によるフラットバンド電位の膜厚依存性

Abstract

当研究室オリジナルのPLD-電気化学システムを用いて，NbドープSrTiO3(001)基板上に膜厚の異なるアナターゼTiO2(001)薄膜を作製し，その電気化学特性について，大気暴露せず，Ar雰囲気下，1MのHClO4電解質中で評価を行なった。その結果，成長膜厚の増大とともに，(001)面特有の(1x4)の表面再構成が発達し，フラットバンド電位が，およそ+0.5Vシフトすることを見いだした。

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  • CRID
    1390001205679877504
  • NII Article ID
    130005175875
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_78
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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