ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
書誌事項
- タイトル別名
-
- Large lateral growth rate in GaN grown directly on sapphire substrate by two-flow metalorganic vapor phase epitaxy
この論文をさがす
抄録
The inclination of subflow tube gives a large influence on the lateral growth rate of GaN. Under the optimum inclination, the reactant gas stays long on the substrate surface , which leads to the efficient decomposition of NH_3, and drains out on the substrate to all directions, which promotes both the lateral and vertical growth rate.
収録刊行物
-
- 日本結晶成長学会誌
-
日本結晶成長学会誌 27 (1), 24-, 2000
日本結晶成長学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001205862910208
-
- NII論文ID
- 110002715243
-
- NII書誌ID
- AN00188386
-
- ISSN
- 21878366
- 03856275
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可