-
- 伊藤 信
- 学習院大学計算機センター:大阪大学大学院理学研究科
書誌事項
- タイトル別名
-
- Relation between Surface Reconstruction and the Shapes of the Terrace Edges on GaAs(001) Vicinal to (111)B (<Special Issue>Recent Trend of Crystal Growth Theory)
- 解説 (111)B方向に微傾斜したGaAs(001)表面上における表面再構成構造とテラス端の形状との関係
- カイセツ 111 B ホウコウ ニ ビケイシャ シタ GaAs 001 ヒョウメン ジョウ ニ オケル ヒョウメン サイコウセイ コウゾウ ト テラス タン ノ ケイジョウ ト ノ カンケイ
この論文をさがす
抄録
The morphologies of the terraces of a GaAs(001)-β2 (2×4) surface vicinal to (111) B in the homoepitaxial growth condition are studied by the kinetic Monte Carlo simulations. The growth simulations revealed that the morphologies of these terraces depend on the relative phase of the β2 (2×4) reconstruction between an upper terrace and a lower one. In addition, this effect leads to the growth asymmetry of a two-dimensional island. These results are in agreement with the scanning tunneling microscopy images reported in the literature.
収録刊行物
-
- 日本結晶成長学会誌
-
日本結晶成長学会誌 29 (1), 65-68, 2002
日本結晶成長学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001205896716544
-
- NII論文ID
- 110002715524
-
- NII書誌ID
- AN00188386
-
- ISSN
- 21878366
- 03856275
-
- NDL書誌ID
- 6135153
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可