Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

DOI Web Site 参考文献27件
  • 本田 善央
    名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻・赤崎研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Crystal Growth of Semipolar GaN on Si Substrate(<Special Issue>Breakthrough in Nitride Crystal Growth for Next Generation Devices)
  • Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長
  • Si キバン ジョウ ハンキョクセイ チッカブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ

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抄録

加工Si基板へ有機金属気相成長法選択成長を試み半極性(1-101)GaN,(11-22)GaNを作製した.半極性面における光学的特性,電気的特性及び不純物濃度等の特性について各結晶面での評価を行った.さらに,半極性GaN上へヘテロ成長したInGaNのIn取り込み及び転位導入過程を,(1-101)GaN面を中心に評価を行ったので本報にて報告する.

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参考文献 (27)*注記

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