書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of Single Crystalline AlN by Solution Growth Technique(<Special Issue>Bulk Crystals for Substrates)
- 溶液成長法によるAlN単結晶の育成
- ヨウエキ セイチョウホウ ニ ヨル AlNタンケッショウ ノ イクセイ
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説明
常圧窒素雰囲気下Cu-Al-Ti溶液からのAlN単結晶の成長挙動を調査した.1500-1600℃に保持した上記溶液を700-800℃冷却することで6H-SiC種結晶表面にAlNがエピタキシャルに核発生,成長することを確認した.成長速度は2μm/hrの程度であった.8μm厚さまで成長させたAlN膜中の転位密度は成長表面近傍で10^5/cm^2と小さい値であった.溶液中50℃/cmの温度勾配下に種結晶を静置することでもAlN単結晶の成長を確認した.この手法により連続的な成長が可能で10μm厚さのAlN単結晶を得ることができた.高分解能電子顕微鏡で観察したAlN/6H-SiC界面には異相などが無く,原子レベルの整合性は良好であった.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 32 (1), 20-23, 2005
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205898282112
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- NII論文ID
- 110007327664
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 7311854
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
