β-Ga_2O_3単結晶の育成と窒化処理によるGaN形成(<小特集>基板結晶)

DOI 機関リポジトリ HANDLE Web Site 参考文献44件
  • 大平 重男
    日本軽金属(株):東北大学金属材料研究所新素材設計開発施設
  • 吉岡 正行
    静岡県静岡工業技術センター
  • 菅原 孝昌
    東北大学金属材料研究所新素材設計開発施設
  • 中嶋 一雄
    東北大学金属材料研究所新素材設計開発施設
  • 宍戸 統悦
    東北大学金属材料研究所新素材設計開発施設

書誌事項

タイトル別名
  • Growth of β-Ga_2O_3 Single Crystalline and Fabrication of GaN by Nitridation(<Special Issue>Bulk Crystals for Substrates)
  • β-Ga2O3単結晶の育成と窒化処理によるGaN形成
  • ベータ Ga2O3タンケッショウ ノ イクセイ ト チッカ ショリ ニ ヨル GaN ケイセイ

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抄録

β-Ga_2O_3単結晶を育成し,その表面を窒化処理することでGaNを形成し,窒化物系半導体膜成長用基板とする方法について検討した結果を紹介する.FZ法で育成したβ-Ga_2O_3単結晶を研磨加工し,その(100)面をNH_3ガス中で窒化処理(850℃,5h)することで,β-Ga_2O_3単結晶表面には多結晶の六方晶GaNが,数10nmの厚さ形成されることを確認した.高分解能TEMによる断面観察,電子回折から,β-Ga_2O_3単結晶表面上にはランダムに配向した単結晶のGaN粒子が複数集合し,そのサイズは数nm〜数10nm,膜厚は数10nmであること,また作製されたGaN粒子内部には転位や欠陥は観察されないことがわかった.本手法は新しいバルクGaN基板作製法として期待される.

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参考文献 (44)*注記

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