K吸着3層グラフェンの高分解能ARPES
書誌事項
- タイトル別名
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- K-doped trilayer graphene: high-resolution ARPES
抄録
<p>3層グラフェンにおけるK吸着に関連した電子状態の変化を明らかにする目的で、熱分解法と水素終端法により作製したSiC基板上のABC積層型3層グラフェン表面にKを吸着し、電子状態の変化を高分解能ARPESによって測定した。その結果、K吸着によってK点でエネルギーギャップが形成されるとともに、ディラック点がシフトすることを見出した。講演では、K吸着によるバンドギャップ形成のメカニズムについて詳細に議論する。</p>
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 71.2 (0), 1690-1690, 2016
一般社団法人 日本物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205960829696
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- NII論文ID
- 130006244409
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可