架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性

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タイトル別名
  • Ballistic transport properties of suspended InAs nanowires

説明

<p>半導体量子細線において、架橋構造を用いることにより基板表面による散乱が抑制され、高品質な一次元伝導チャネルが実現できることが知られている。今回、SiO2基板をエッチング加工することにより、量子細線の電極間距離が100nm程度の架橋型InAs細線試料を作製することが可能となり、バリスティック伝導を示す量子化伝導度が零磁場・温度2Kで観測された。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205960854016
  • NII論文ID
    130006243729
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1077
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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