dHvA measurement on single crystalline SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>
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- Yamada A.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Sakai K.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Iwami S.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Fushiya K.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Higashinaka R.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Aoki Y.
- Tokyo Metropolitan Univ.
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- Homma Y.
- IMR Tohoku Univ.
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- Honda F.
- IMR Tohoku Univ.
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- Aoki D.
- IMR Tohoku Univ.
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- Matsuda T. D.
- Tokyo Metropolitan Univ.
Bibliographic Information
- Other Title
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- SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の純良単結晶育成とdHvA測定
Description
<p>我々は、Sm化合物における強相関電子物性を研究するなかで、SmPt_2_Si_2_において、部分無秩序状態を伴う磁気秩序相と、それによって重い電子状態が発現している可能性を示してきた。この物性異常のメカニズムを明らかにするため、Sm122系の構造と電子状態の違いに着目して研究を行っている。最近我々は、遷移金属をIrに変えたSmIr_2_Si_2_についてフラックス法によって、RRR=270の純良単結晶を育成に成功した。この単結晶を用いてマイクロカンチレバーを用いたdHvA測定を行い、Fermi面の直接観測に成功したので報告する。</p>
Journal
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- Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan
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Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 72.1 (0), 2393-2393, 2017
The Physical Society of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206048104576
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- NII Article ID
- 130006710167
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- ISSN
- 21890803
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed