dHvA measurement on single crystalline SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>

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  • SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の純良単結晶育成とdHvA測定

Abstract

<p>我々は、Sm化合物における強相関電子物性を研究するなかで、SmPt_2_Si_2_において、部分無秩序状態を伴う磁気秩序相と、それによって重い電子状態が発現している可能性を示してきた。この物性異常のメカニズムを明らかにするため、Sm122系の構造と電子状態の違いに着目して研究を行っている。最近我々は、遷移金属をIrに変えたSmIr_2_Si_2_についてフラックス法によって、RRR=270の純良単結晶を育成に成功した。この単結晶を用いてマイクロカンチレバーを用いたdHvA測定を行い、Fermi面の直接観測に成功したので報告する。</p>

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  • CRID
    1390001206048104576
  • NII Article ID
    130006710167
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2393
  • ISSN
    21890803
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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