SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の純良単結晶育成とdHvA測定
書誌事項
- タイトル別名
-
- dHvA measurement on single crystalline SmIr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>
説明
<p>我々は、Sm化合物における強相関電子物性を研究するなかで、SmPt_2_Si_2_において、部分無秩序状態を伴う磁気秩序相と、それによって重い電子状態が発現している可能性を示してきた。この物性異常のメカニズムを明らかにするため、Sm122系の構造と電子状態の違いに着目して研究を行っている。最近我々は、遷移金属をIrに変えたSmIr_2_Si_2_についてフラックス法によって、RRR=270の純良単結晶を育成に成功した。この単結晶を用いてマイクロカンチレバーを用いたdHvA測定を行い、Fermi面の直接観測に成功したので報告する。</p>
収録刊行物
-
- 日本物理学会講演概要集
-
日本物理学会講演概要集 72.1 (0), 2393-2393, 2017
一般社団法人 日本物理学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001206048104576
-
- NII論文ID
- 130006710167
-
- ISSN
- 21890803
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可