ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いたＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体ナノワイヤの形成

DOI Web Site Web Site 参考文献22件
  • 冨岡 克広
    北海道大学大学院情報科学研究科
  • 佐藤 拓也
    北海道大学大学院情報科学研究科
  • 原 真二郎
    北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
  • 本久 順一
    北海道大学大学院情報科学研究科
  • 福井 孝志
    北海道大学大学院情報科学研究科 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Formation of III-V Compound Semiconductor Nanowires by using Selective-area MOVPE
  • MOVPE選択成長法を用いた3-5族化合物半導体ナノワイヤの形成
  • MOVPE センタク セイチョウホウ オ モチイタ 3 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ナノワイヤ ノ ケイセイ

この論文をさがす

説明

We report on the growth of III-V compound semiconductor nanowires by selective-area MOVPE. Position-controlled growth of GaAs nanowire, and InP/InAs/InP core-multi shell nanowires are reviewed. The nanowires are oriented to <111>B or <111>A directions and they have hexagonal cross-section surrounded with {1-10} vertical side facets and (111)B or A top surface. Also, we can control the growth direction to axial or radial by changing the growth parameters. InP/InAs/InP core-multi shell nanowires whose well thickness is of several monolayers are fabricated by using this method. We also review on the growth of vertical GaAs nanowires on Si substrate and fabrication of InGaAs nanowire-FETs.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 29 (12), 726-730, 2008

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (22)*注記

もっと見る

関連プロジェクト

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ