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- 鳥海 明
- 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 JST-CREST
書誌事項
- タイトル別名
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- <sup>Interface Control of GeO<sub>2</sub>/Ge for High-performance Ge CMOS</sup>
- CMOSゲートスタック応用へ向けたGeO₂/Ge界面反応制御
- CMOS ゲートスタック オウヨウ エ ムケタ GeO ₂/Ge カイメン ハンノウ セイギョ
- Interface Control of GeO2/Ge for High-performance Ge CMOS
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説明
This paper discusses the GeO2/Ge gate stack formation on the basis of the interface reaction control of Ge. The Ge oxidation is quite different from the Si one in terms of the fact that GeO desorption should be taken into account in the oxidation process. By using high-pressure oxidation, GeO desorption is thermodynamically suppressed, resulting that nearly perfect C-V characteristics in MOS capacitors and the record high electron mobility in n-channel MOSFETs have been demonstrated.
収録刊行物
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- 表面科学
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表面科学 33 (11), 622-627, 2012
公益社団法人 日本表面科学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206458978816
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- NII論文ID
- 130004486716
- 10031131002
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- NII書誌ID
- AN00334149
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- NDL書誌ID
- 024089410
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
