プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題 4.先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長
書誌事項
- タイトル別名
-
- Synthesis of Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Point-Arc Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
- 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長
- センタン ホウデンガタ マイクロハ プラズマ CVD ニ ヨル タンソウ カーボンナノチューブハイコウ セイチョウ
この論文をさがす
説明
It is very important to control the growth orientation of carbon nanotubes (CNTs) on substrates for applications such as field emission devices and CNT-based FETs. Although chemical vapor deposition (CVD) is the most reliable means to this end, there have been few reports on the synthesis of vertically aligned single-walled carbon nanotubes (SWNTs) using the CVD method. In this study, we demonstrate the low temperature synthesis of extremelydense and vertically aligned SWNTs deposited by point-arc microwave plasma CVD.
収録刊行物
-
- プラズマ・核融合学会誌
-
プラズマ・核融合学会誌 81 (9), 665-668, 2005
社団法人 プラズマ・核融合学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001206514188800
-
- NII論文ID
- 110006281970
-
- NII書誌ID
- AN10401672
-
- NDL書誌ID
- 7678040
-
- ISSN
- 09187928
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- NDL-Digital
- CiNii Articles
- KAKEN
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可