書誌事項
- タイトル別名
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- Significance of Interface Engineering on Device Efficiency and Stability of Organic Light-Emitting Diodes
- タイキュウセイ ニ スグレタ ユウキ エレクトロルミネッセンス ソシ オ ジツゲン スル カイメン セイギョ ギジュツ
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説明
本報では，電極/正孔輸送層および正孔輸送層/発光層の界面制御が有機エレクトロルミネッセンス（EL）素子の素子特性に与える影響について述べる．0.75 nmの超薄膜三酸化モリブデン（MoO3）層をindium tin oxide（ITO）電極とN,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(α-NPD)正孔輸送層の界面に挿入することでITOとα-NPD界面で電荷移動が生じ，正孔注入障壁の無い界面状態が実現された結果，有機EL素子の駆動電圧の低減と素子寿命の向上が観測された．MoO3層を用いることに加え，α-NPD層とtris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)発光層のへテロ接合界面において5 nmの界面混合層を形成させることで，有機EL素子の駆動電圧と素子寿命がさらに改善されることが分かった．
収録刊行物
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- 日本写真学会誌
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日本写真学会誌 72 (5), 344-349, 2009
社団法人 日本写真学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001206570306688
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- NII論文ID
- 130004567134
- 40016884459
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- NII書誌ID
- AN00191766
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- ISSN
- 18845932
- 03695662
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- NDL書誌ID
- 10484296
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可