AlGaN系深紫外LEDの進展と展望

DOI Web Site 被引用文献5件 参考文献21件
  • 平山 秀樹
    独立行政法人理化学研究所 独立行政法人科学技術振興機構
  • 藤川 紗千恵
    独立行政法人理化学研究所 独立行政法人科学技術振興機構
  • 塚田 悠介
    独立行政法人理化学研究所 埼玉大学工学部 独立行政法人科学技術振興機構
  • 鎌田 憲彦
    埼玉大学工学部 独立行政法人科学技術振興機構

書誌事項

タイトル別名
  • Recent progress and future prospects of AlGaN-based deep-UV LEDs
  • AlGaNケイ シンシガイ LED ノ シンテン ト テンボウ

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抄録

<p>深紫外LED，LDは，殺菌・浄水，医療，照明，高密度光記録，環境破壊物質の高速分解処理など幅広い応用が考えられ，その実現が期待されている．本研究ではAlGaN系半導体を用いて222〜351nmの広い波長領域の深紫外LEDを実現し，特に殺菌用途波長において実用レベルの高出力を実現した．パルス状ガス供給法を用いた低貫通転位密度AlN結晶成長法を開発し，深紫外発光効率を飛躍的に向上させ，50〜80％ 程度の高い内部量子効率を実現した．また，多重量子障壁の導入により電子注入効率を大幅に向上させ，CW出力30mWの高出力深紫外LEDを実現した．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 80 (4), 319-324, 2011-04-10

    公益社団法人 応用物理学会

被引用文献 (5)*注記

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