GaN中の点欠陥評価

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タイトル別名
  • Characterization of point defects in GaN
  • GaN チュウ ノ テン ケッカン ヒョウカ

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抄録

<p>トラップからのキャリヤ放出による空乏層容量の過渡応答を基礎とした評価法が，半導体の点欠陥研究に用いられる．なかでもDLTS法は，解析の容易さ，トラップ分離の能力，高感度などの点で優れており，多くの研究者によりSi，GaAs，AlGaAsなどの点欠陥評価に用いられてきた．近年，高耐圧，高温動作，高周波デバイス開発でGaNが注目を集めている．本稿では，GaNにDLTS法を用いてトラップの評価を行った研究について紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 82 (10), 862-865, 2013-10-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (20)*注記

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