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- 天野 浩
- 名古屋大学未来材料・システム研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Advantages of GaN and Related Materials over Si and Issues to be Solved
- ザイリョウ ケンキュウ ノ タノシサ
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抄録
半導体の王者は言わずと知れたSiである。市場規模を比べると,化合物半導体全部含めてもSiの1/10にも満たない。それでも化合物半導体,とりわけGaN系窒化物半導体にこだわっている理由は,この材料の物性自体がとても興味深いこと,およびSiでは出来ないことが出来る,或いは今後できそうだからである。本寄稿では,筆者が学生の頃からこれまで30年以上もの間取り組んでいるGaN系窒化物半導体材料の研究で,特に表面と真空について学んだことを中心に書かせて頂くことにする。
収録刊行物
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- 表面と真空
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表面と真空 61 (9), 565-567, 2018-09-10
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001288069859968
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- NII論文ID
- 130007474850
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- NII書誌ID
- AA12808657
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- ISSN
- 24335843
- 24335835
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- NDL書誌ID
- 029219719
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可