第一原理計算を用いたPtとステップキンクGaN(0001)間での水分子の解離吸着の解析

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タイトル別名
  • Study of dissociative adsorption of water molecule at kink site of kinked-GaN(001) and role of Pt catalyst using first-principles calculations

抄録

ワイドギャップ半導体のGaNは電子機器を低消費電力、高温動作可能にできる。近年、水中でGaNを触媒反応させてエッチングするCARE加工法の開発により原子レベルでのGaN表面平坦化が可能になりデバイス製造への応用が期待されている。本研究ではCARE加工法を原子レベルで解明することを目指した。GaN表面での水分子の解離吸着プロセスとそれへのPt触媒の作用を第一原理計算で解析した。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001288093281792
  • NII論文ID
    130007519147
  • DOI
    10.14886/sssj2008.2018.0_278
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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