第一原理計算を用いたPtとステップキンクGaN(0001)間での水分子の解離吸着の解析
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- 長谷川 未貴
- 阪大工
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- ブイ ヴァン・フォー
- 阪大工
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- 稲垣 耕司
- 阪大工
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- 森川 良忠
- 阪大工
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- 山内 和人
- 阪大工
書誌事項
- タイトル別名
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- Study of dissociative adsorption of water molecule at kink site of kinked-GaN(001) and role of Pt catalyst using first-principles calculations
抄録
ワイドギャップ半導体のGaNは電子機器を低消費電力、高温動作可能にできる。近年、水中でGaNを触媒反応させてエッチングするCARE加工法の開発により原子レベルでのGaN表面平坦化が可能になりデバイス製造への応用が期待されている。本研究ではCARE加工法を原子レベルで解明することを目指した。GaN表面での水分子の解離吸着プロセスとそれへのPt触媒の作用を第一原理計算で解析した。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 278-, 2018
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001288093281792
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- NII論文ID
- 130007519147
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可